本次主要是对经典题目的汇总，如果想看对知识点的汇总，可以看我另一篇博客：微电子电路——期末总结

1、第一个晶体管发明年份？：1947 2、发明者当时供职于哪家公司？：bell lab 3、第一块集成电路发明年份？：1958 4、发明者当时供职于哪家公司？：TI 5、第一台计算机诞生年份？：1946 6、发明者当时供职于哪家公司？：bell lab 7、第一个mos管诞生年份？：1960 8、cmos管诞生年份？：1963

1、考虑标准0.13µm CMOS工艺下NMOS管，零衬偏时阈值电压VT=0.3V，栅氧厚度为tox=260nm，衬底掺杂浓度NA=2×1017cm-3，衬底接地。如果源极VS=0.3V时，室温下NMOS管阈值电压变化多少？ 这道题主要考察阈值电压公式： 重点是我们需要根据他给出来的值来计算体效应系数 其中的ε是常量，q也是常量，而Na题目中已经给出，我们需要计算的仅仅是删氧化层的电容，根据公式： 综上可以计算出体效应系数，然后需要计算两个费米能级φ，费米能级的公式为： 其中的KT/q是常温下的热电压，ni是本证载流子的浓度，都是应该给出来的常量，代入计算即可。由于源极电压VS=0.3，那么源底电压=-0.3，带入最初的共识，便可以计算出最终的阈值电压 这道题很难，但要知道，在考试的时候，所有的公式，常量老师都会给出来的，重点是我们怎么用（~~希望吧）。

2、考虑标准0.13µm CMOS工艺下NMOS管，宽长比为W/L=0.26µm/0.13µm，栅氧厚度为tox=26Å，室温下电子迁移率µn=220cm2/V·s，阈值电压VT=0.3V，计算VGS=1.0V，VDS=0.2V和1.0V时ID的大小。 这道题我们要算的是漏源电流的大小，首先根据给出的VGS和VT可以知道VGS>VT，而当VDS=0.2的时候，VDSVDS-VT，说明此时处于饱和区，使用公式： 此时我们要计算的只不过是这个常数β，代入公式： 同样，W和L已经给出，μn也已经给出，只有Ctox删氧化层电容需要计算，代入公式： 至此，所有的参数已经计算完毕，就可以得到漏电流的值。

各位可以看到，标准0.13μm的nmos管经常出现，大家可以记一下他的ε的值或者Ctox删氧化层电容的值，是3.98.8510-14/tox，而tox的单位A是10-8

3、以N型半导体为例，他的多数载流子是自由电子，即自由电子浓度n＞空穴浓度p，那么他是否保持电中性？为什么？ 是保持电中性。 从微观上讲，不管是多子还是少子，都是在原子核之外而言的。就以题目中的N型半导体为例。由于N型半导体是掺杂了五族元素制作而成的，导致在晶格中存在较多的自由电子，构成了多数载流子。 从宏观上来看，本征半导体为电中性，掺杂也是电中性，故**所有电子（不管是不是自由电子）**的数目和原子核中质子的数目是相等的，所以对外不显电性。

4、在半导体中，哪些是带正电的？：电离施主、空穴

5、在半导体中，哪些是带负电的？：电离受主、自由电子

6、对一个半导体而言会有如下公式： 对于施主杂质，可以认为是电子数d=空穴数d+施主离子数。其中注意，这里的电子数并不等于n，而是仅仅由施主杂质产生的电子。 对于受主杂质，可以认为是空穴数a=电子数a+受主离子数。其中注意，这里的空穴数并不等于p，而是仅仅由受主杂质产生的空穴。

7、下图的 MOS 晶体管各是什么类型，标明每个 MOS 晶体管的栅、源、漏极，分析它们的工作状态，设所有晶体管的阀值电压的绝对值都是 1V。 (a)增强型nmos，左为栅极，上位漏极，下为源极，VT=1V，VG-VT>VDS。工作于线性区 (b)增强型nmos，左为源极，上位栅极，下为漏极，VT=1V，VDS>VG-VT。工作于饱和区 ©耗尽型nmos，左为栅极，上位漏极，下为源极，VT=-1V，VDS>VG-VT。工作于饱和区 (d)增强型pmos，左为栅极，上位源极，下为漏极，VT=-1V，VDS>VG-VT。工作于线性区

8、如图所示，M1 和 M2 两管串联，且 VB < VG-VT < VA，请问： （1） 若都是 NMOS，它们各工作再什么状态？ （2） 若都是 PMOS，它们各工作在什么状态？ （3） 证明两管串联的等效导电因子是 Keff = K1K2/(K1 +K2)。 解： （1）假定VC的值，根据VB